Mipox 常温接合加工サービス
Mipoxの受託加工のラインナップである「接合加工」は、同一素材、異種素材を直接的に貼り合わせる技術です。
Mipoxでは、本技術ならびに装置を、半導体ウェーハやチップ素材との直接接合加工を受託加工にてお受けしています。
日本国内でも数少ない、接合加工を受託で請け負うビジネスを展開してiます。
Mipoxの常温接合加工サービスは、パワー半導体用途、高周波デバイス、各種MEMS、LED用途を中心に、シリコンウェーハ、化合物半導体ウェーハ筆頭に、ガラス・セラミックス材料・焼結体・Poly 材料まで幅広く対応しています。また、接合の前後に必要な研磨や洗浄、後処理なども当社では幅広く対応可能です。
常温接合加工サービス範囲
当社は6インチまでのサイズの各種ウェーハに対応した常温接合加工サービスを提供しています。
常温接合加工は、熱を加えることなく、異種材料同士を一体化させる技術です。
超高真空中環境下で、素材の表面を活性化させる事で、異種材料間でも熱膨張の影響を受けない高品位な接合が可能です。
接合サイズ
0.5”～6“各サイズの対応が可能で、SEMI/JEITA規格にも対応しています。 専用の治具を用いることで、異形チップサイズ（～6“以内）にも対応しています。
接合材料
シリコンウェーハをはじめとする各種半導体ウェーハや その他Au、Cu等の金属膜付き基板やガラス、各種セラミックス等の幅広い素材の接合が可能です。 通常のSi-Si、Si-酸化物半導体ウェーハの接合から、ナノアドヒージョン接合を使用したSi-SiC、サファイアの接合、FABを用いた親水化接合、ハイブリッドボンディングまで 幅広い接合用途に対応可能です。
接合方式
- 超高真空中でアルゴンボンバードメントによる常温直接接合
超高真空中で、接合素材表面にアルゴンビームを照射し、ArイオンやAr原子のボンバードメントにより、接合対象物表面の酸化膜や付着物(コンタミ)を除去します。対象物の両接合面に施した後、超高真空中で接合面同士を接触させ、接合を行う方法です。
その他にも、Si原子を接合界面に介在させる事でイオン結晶性の材料でも接合を可能にしたナノアドヒージョン接合方式を用いて、通常接合が困難な接合対象物に対しても幅広く対応することが可能です。
真空親水化接合では、超高真空中アルゴンボンバードメント処理と併せSiビームを照射することで接合界面のOH基の量を増やし、接合強度を向上させる事が可能です。
以上のような多様な方式を用いることで、これまで接合が困難であった素材に対しても、常温直接接合が可能です。
研磨技術との組み合わせ
Engineered Substrateは、次世代SiCウェーハ用途や、5G/6G対応のSAWフィルター用途で既に適用され始めています。
Mipoxが得意とする「超高精度研磨加工・エッジ研磨技術」と、常温直接接合加工とを組み合わせ、次世代半導体やMEMSの材料として期待されている新材料「Engineered Substrate」の創出に貢献します。
Mipoxの超高精度研磨加工・エッジ研磨技術は、今まで直接接合が困難とされていた多くの素材に対し、その可能性を見出し、Engineered Substrateとして機能させることが出来ます。
Mipoxの常温接合加工サービスと、超高精度研磨加工・エッジ研磨加工技術とを合わせ、次世代パワー半導体や高周波用途、マイクロLED用途等への応用が期待されている、セラミックス・Poly材料等のEngineered substrateを、ボイドフリーで直接接合させることが可能です。
接合加工後のウェーハ外周部（エッジ）トリートメント処理
Mipoxは、常温接合加工後のウェーハに対し、エッジトリートメント処理を行う事が可能です。
自社製造の研磨フィルムと、Mipoxエッジポリッシャーを使用してエッジトリートメント処理を行います。接合加工後に行う事が多い薄化処理時の破損防止対策としてのエッジトリミング加工や、ハンドリング時の破損防止効果が期待を期待できます。
まとめ
Mipoxでは、直接接合技術を展開しており、接合前後の処理を含めた受託加工を承っております。また、接合加工のみ、研磨加工のみの受託など、単独の工程も広く承っております。